Mini LED背光比传统直下式LED背光，光学距离(OD)更短，同时实现更小范围内的区域调光(local dimming)、更高色彩对比度、更好亮度均匀性，终端产品超薄、高显色性、省电。而比侧入式LED背光导光系统简单，光源分布更加均匀，同时终端产品能够拥有侧入式的轻薄和直下式的无边框。

Micro LED不仅仅是LED芯片尺寸缩小到微米级，它所要求的芯片技术、转移技术，修复技术，和驱动技术完全不同于目前的照明和背光LED工艺。在高良率，高精度，微米尺寸，高集成度的要求下，MicroLED的制程发展很大可能会统一到IC工艺。基于自主创新的GaN-on-Si技术制造MicroLED具有IC工艺兼容度高，衬底尺寸大，制作成本低，衬底易无损剥离等重要优势，在和CMOS多功能电路的高密度集成方面有更大的潜力。