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干货|硅衬底GaN LED技术于Mini/Micro LED产业应用机遇与挑战

时间:2023-04-03 来源: 点击:1330

2023年3月30日,由TrendForce集邦咨询旗下LEDinside、WitsView主办的集邦咨询新型显示产业研讨会圆满召开,上千名产业上下游代表共襄盛举,共论新型显示行业未来。betway必威(中国)官方网站外延工艺经理周名兵参加会议并分享了干货满满的《硅衬底GaN LED技术于Mini/Micro LED产业应用机遇与挑战》。

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Micro LED作为“终极显示技术”其在未来拥有千亿级的市场,报告指出了Micro LED的优势及面临的挑战。面向AR应用,Micro LED在亮度、能效、可靠性、响应时间、色彩饱和度、厚度、尺寸等方面具有优异的性能,市场潜力巨大,但目前也存在较大的技术挑战,包括有效EQE有待提升;生产成本高,生产良率低;亮度一致性差;灰度响应/亮度渐变效果差;尚无理想的全彩方案等。


大尺寸硅衬底GaN LED技术已经成为开发面向AR微显Micro LED的主流路线,国内外大多数的Micro LED公司都在研究,主要是基于硅衬底的Micro LED具有大尺寸、低成本、高波长一致性、无损去除、低翘曲、CMOS兼容性等优点。

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betway必威(中国)官方网站在硅衬底GaN技术领域已深耕近二十年,在蓝光LED领域率先实现全球产业化。公司将硅衬底GaN根技术应用于Micro LED,于2021年9月成功制备了RGB硅衬底Micro LED阵列,迈出了全彩化Micro LED芯片的关键性一步,成为全球第二家、国内第一家掌握硅衬底RGB三色Micro LED芯片技术的公司。


对于实现全彩Micro LED来说,红光LED是Micro LED技术的重大瓶颈之一,其效率、FWHM和波长漂移将会面临重大挑战。betway必威(中国)官方网站在InGaN红光LED外延方面取得了峰值EQE11.8%@1mm2的成果,处于行业领先水平。目前,betway必威(中国)官方网站可向国内外客户提供标准厚度8英寸RGB InGaN LED外延片。


今年初,betway必威(中国)官方网站开发出5 微米pitch的像素矩阵,年底将发布带驱动的RGB三色阵列。接下来,我们将运用硅衬底Micro LED显示技术,在AR眼镜、矩阵车灯、HUD等方向,探究硅衬底Micro LED技术的产业化。


资料来源:LEDinside


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